![FDMS86255ET150 FDMS86255ET150](https://www.mouser.com/images/fairchildsemiconductor/lrg/PQFN_Power33_33x33_8_DSL.jpg)
FDMS86255ET150 onsemi / Fairchild
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 9.7 EUR |
10+ | 8.22 EUR |
25+ | 7.96 EUR |
100+ | 6.6 EUR |
250+ | 6.42 EUR |
500+ | 5.9 EUR |
1000+ | 5.09 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDMS86255ET150 onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0095 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FDMS86255ET150 nach Preis ab 5.97 EUR bis 9.89 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMS86255ET150 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V |
auf Bestellung 684 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
![]() |
FDMS86255ET150 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3701 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
![]() |
FDMS86255ET150 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3701 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
![]() |
FDMS86255ET150 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
FDMS86255ET150 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 44A; Idm: 276A; 136W; Power56 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 150V Drain current: 44A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Gate charge: 63nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 276A Mounting: SMD Case: Power56 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||
![]() |
FDMS86255ET150 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
FDMS86255ET150 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 44A; Idm: 276A; 136W; Power56 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 150V Drain current: 44A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Gate charge: 63nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 276A Mounting: SMD Case: Power56 |
Produkt ist nicht verfügbar |