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Technische Details FDMS86255 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0095 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDMS86255 nach Preis ab 1.34 EUR bis 6.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDMS86255 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R |
auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86255 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R |
auf Bestellung 585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86255 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V |
auf Bestellung 81000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS86255 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86255 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R |
auf Bestellung 585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86255 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 7327 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS86255 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V |
auf Bestellung 83647 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMS86255 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0095 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 17528 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86255 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0095 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 17528 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86255 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86255 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 194723 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS86255 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMS86255 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |