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FDMS86201

FDMS86201 ON Semiconductor

fdms86201-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details FDMS86201 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 11.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735 pF @ 60 V.

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FDMS86201 FDMS86201 Hersteller : ON Semiconductor fdms86201-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735 pF @ 60 V
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FDMS86201 FDMS86201 Hersteller : ON Semiconductor 3678161875074616fdms86201.pdf Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86201 FDMS86201 Hersteller : onsemi fdms86201-d.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
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FDMS86201 FDMS86201 Hersteller : ON Semiconductor fdms86201-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86201 FDMS86201 Hersteller : ONSEMI 1874888.pdf Description: ONSEMI - FDMS86201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 0.0096 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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FDMS86201 FDMS86201 Hersteller : ON Semiconductor 3678161875074616fdms86201.pdf Trans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
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