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FDMS86183

FDMS86183 ON Semiconductor

fdms86183-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details FDMS86183 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 0.0099 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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FDMS86183 FDMS86183 Hersteller : ON Semiconductor fdms86183-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86183 FDMS86183 Hersteller : onsemi fdms86183-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V
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FDMS86183 FDMS86183 Hersteller : ON Semiconductor 3678005273856421fdms86183.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86183 FDMS86183 Hersteller : onsemi fdms86183-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V
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FDMS86183 FDMS86183 Hersteller : onsemi / Fairchild FDMS86183_D-2312684.pdf MOSFET PTNG 100/20V Nch Power Trench Mosfet
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FDMS86183 FDMS86183 Hersteller : ONSEMI 2303919.pdf Description: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 0.0099 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
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Verlustleistung: 63W
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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FDMS86183 FDMS86183 Hersteller : ONSEMI 2303919.pdf Description: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 0.0099 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
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Bauform - Transistor: Power 56
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Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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FDMS86183 FDMS86183 Hersteller : ON Semiconductor 3678005273856421fdms86183.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86183 FDMS86183 Hersteller : ON Semiconductor fdms86183-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86183 Hersteller : ONSEMI fdms86183-d.pdf FDMS86183 SMD N channel transistors
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