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FDMS8018

FDMS8018 ON Semiconductor

fdms8018-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details FDMS8018 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 175A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: Power 56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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FDMS8018 FDMS8018 Hersteller : ON Semiconductor 3675958030682275fdms8018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS8018 FDMS8018 Hersteller : onsemi fdms8018-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V
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FDMS8018 FDMS8018 Hersteller : ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS8018 FDMS8018 Hersteller : onsemi / Fairchild FDMS8018_D-2312646.pdf MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDMS8018 FDMS8018 Hersteller : onsemi fdms8018-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V
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FDMS8018 FDMS8018 Hersteller : ONSEMI 2724476.pdf Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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FDMS8018 FDMS8018 Hersteller : ONSEMI 2724476.pdf Description: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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FDMS8018 FDMS8018 Hersteller : ON Semiconductor fdms8018-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS8018 FDMS8018 Hersteller : ON Semiconductor 3675958030682275fdms8018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS8018 Hersteller : ONSEMI fdms8018-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 110A; Idm: 680A; 83W; Power56
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 680A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 110A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMS8018 Hersteller : ONSEMI fdms8018-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 110A; Idm: 680A; 83W; Power56
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 680A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 110A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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