FDMS4D5N08LC onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 17A/116A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 17A/116A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
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Technische Details FDMS4D5N08LC onsemi
Description: ONSEMI - FDMS4D5N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0032 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 116A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 113.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113.6W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: POWERTRENCH, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDMS4D5N08LC nach Preis ab 1.99 EUR bis 4.49 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDMS4D5N08LC | Hersteller : onsemi | MOSFETs 80V 116A 4.2mOhm |
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FDMS4D5N08LC | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 17A/116A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 210µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V |
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FDMS4D5N08LC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS4D5N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0032 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 113.6W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: POWERTRENCH productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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FDMS4D5N08LC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS4D5N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0032 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 113.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 113.6W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: POWERTRENCH productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3056 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMS4D5N08LC | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDMS4D5N08LC | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS4D5N08LC | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R |
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FDMS4D5N08LC | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R |
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