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FDMS4D0N12C

FDMS4D0N12C onsemi

fdms4d0n12c-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370A
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 60 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details FDMS4D0N12C onsemi

Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.0044 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 114A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 106W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C Hersteller : ON Semiconductor fdms4d0n12c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 5306 Stücke:
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144+4.04 EUR
500+3.73 EUR
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FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C Hersteller : ON Semiconductor fdms4d0n12c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
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auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+6.81 EUR
29+5.20 EUR
31+4.78 EUR
100+3.86 EUR
250+2.90 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C Hersteller : ON Semiconductor fdms4d0n12c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C Hersteller : onsemi fdms4d0n12c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370A
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 60 V
auf Bestellung 3732 Stücke:
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3+7.73 EUR
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100+4.02 EUR
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FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C Hersteller : onsemi FDMS4D0N12C_D-2312552.pdf MOSFETs PTNG 120V N-FET 118A
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FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C Hersteller : ONSEMI 2619968.pdf Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.0044 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C Hersteller : ONSEMI 2619968.pdf Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.0044 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C Hersteller : ON Semiconductor fdms4d0n12c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C Hersteller : ON Semiconductor fdms4d0n12c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS4D0N12C Hersteller : ONSEMI fdms4d0n12c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Power dissipation: 106W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 82nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 628A
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 114A
On-state resistance: 8.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMS4D0N12C Hersteller : ONSEMI fdms4d0n12c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Power dissipation: 106W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 82nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 628A
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 114A
On-state resistance: 8.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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