![FDMS4435BZ FDMS4435BZ](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/83ee490a9a6d6db3892a2f1173869eaefd5645c4/power56-8.jpg)
FDMS4435BZ ON Semiconductor
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3000+ | 0.76 EUR |
6000+ | 0.7 EUR |
9000+ | 0.64 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDMS4435BZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDMS4435BZ nach Preis ab 0.69 EUR bis 2.13 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMS4435BZ | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS4435BZ | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS4435BZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 18382 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS4435BZ | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V |
auf Bestellung 24947 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS4435BZ | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
FDMS4435BZ | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
FDMS4435BZ | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -18A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 39W Case: Power56 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2987 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
FDMS4435BZ | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -18A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 39W Case: Power56 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 2987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
FDMS4435BZ | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |