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Technische Details FDMD82100L onsemi / Fairchild
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 24A, Pulsed drain current: 80A, Power dissipation: 38W, Case: PQFN12, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 36mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 24nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FDMD82100L nach Preis ab 2.26 EUR bis 4.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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FDMD82100L | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP |
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| FDMD82100L | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 24A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 38W Case: PQFN12 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMD82100L | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP |
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| FDMD82100L | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 80A; 38W; PQFN12 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 24A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 38W Case: PQFN12 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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