FDMC89521L ON Semiconductor
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Technische Details FDMC89521L ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.013 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.2A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 16W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 16W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDMC89521L nach Preis ab 1.01 EUR bis 55.8 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDMC89521L | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R |
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FDMC89521L | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R |
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FDMC89521L | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) |
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FDMC89521L | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R |
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FDMC89521L | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R |
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FDMC89521L | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R |
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FDMC89521L | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R |
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FDMC89521L | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET |
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FDMC89521L | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) |
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FDMC89521L | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.013 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm Verlustleistung, p-Kanal: 16W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 16W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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FDMC89521L | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET |
auf Bestellung 5780 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC89521L | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.013 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm Verlustleistung, p-Kanal: 16W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 16W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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FDMC89521L | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R |
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FDMC89521L | Hersteller : onsemi | Транз. Пол.2 N-Channel (Dual) MOSFET 8-Power33 (3x3) Udss=60V; Id=8,2 A; Pd=1,9 W; Rds=17 mOhm |
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FDMC89521L | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8.2A; Idm: 40A; 16W; Power33 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 16W Gate charge: 24nC Polarisation: unipolar Drain current: 8.2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±20V Case: Power33 On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDMC89521L | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R |
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FDMC89521L | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8.2A; Idm: 40A; 16W; Power33 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 16W Gate charge: 24nC Polarisation: unipolar Drain current: 8.2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±20V Case: Power33 On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD |
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