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Technische Details FDMC86160 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDMC86160 nach Preis ab 1.72 EUR bis 3.92 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDMC86160 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V |
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FDMC86160 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86160 | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 54263 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86160 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V |
auf Bestellung 3855 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86160 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86160 | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86160 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86160 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R |
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FDMC86160 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R |
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FDMC86160 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R |
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FDMC86160 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R |
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FDMC86160 | Hersteller : ONSEMI | FDMC86160 SMD N channel transistors |
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