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FDMC8015L

FDMC8015L onsemi

fdmc8015l-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V
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Technische Details FDMC8015L onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDMC8015L FDMC8015L Hersteller : ON Semiconductor fdmc8015l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC8015L FDMC8015L Hersteller : ON Semiconductor fdmc8015l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC8015L FDMC8015L Hersteller : onsemi / Fairchild FDMC8015L_D-2312609.pdf MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDMC8015L FDMC8015L Hersteller : onsemi fdmc8015l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
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FDMC8015L FDMC8015L Hersteller : ON Semiconductor fdmc8015l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC8015L FDMC8015L Hersteller : ON Semiconductor fdmc8015l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC8015L Hersteller : ONSEMI fdmc8015l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; Idm: 30A; 24W; WDFN8
Power dissipation: 24W
Case: WDFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDMC8015L Hersteller : ONSEMI fdmc8015l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; Idm: 30A; 24W; WDFN8
Power dissipation: 24W
Case: WDFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
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