FDD8647L onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 20 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2500+ | 0.93 EUR |
| 5000+ | 0.89 EUR |
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Technische Details FDD8647L onsemi
Description: ONSEMI - FDD8647L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 43W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm.
Weitere Produktangebote FDD8647L nach Preis ab 0.54 EUR bis 2.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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FDD8647L | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 334 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD8647L | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 334 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD8647L | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 40/20V Nch Power Trench |
auf Bestellung 29048 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD8647L | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 42A; 43W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 42A Power dissipation: 43W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD8647L | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 42A; 43W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 42A Power dissipation: 43W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD8647L | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 20 V |
auf Bestellung 10162 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD8647L | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8647L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm |
auf Bestellung 3375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD8647L | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8647L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 43W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm |
auf Bestellung 3375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDD8647L | Hersteller : Fairchild |
N-Channel 40V 14A (Ta), 42A (Tc) 3.1W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-25) FDD8647L ON Semiconductor TFDD8647L Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDD8647L | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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