FDD86250 ON Semiconductor
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Technische Details FDD86250 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0184 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 132W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0184ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDD86250 nach Preis ab 1.24 EUR bis 3.68 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDD86250 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD86250 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 75 V |
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FDD86250 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD86250 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86250 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 27A Pulsed drain current: 164A Power dissipation: 132W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDD86250 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 27A; Idm: 164A; 132W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 27A Pulsed drain current: 164A Power dissipation: 132W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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FDD86250 | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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FDD86250 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 75 V |
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FDD86250 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0184 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0184ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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FDD86250 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0184 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0184ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 9042 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86250 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86250 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86250 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 |
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FDD86250 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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