![FDD86102 FDD86102](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/f58bcd78ed5fb07ced3708ceca182724942fc19e/fcd260n65s3.jpg)
FDD86102 ON Semiconductor
auf Bestellung 82500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2500+ | 1.05 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDD86102 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FDD86102 nach Preis ab 0.98 EUR bis 2.73 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDD86102 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
FDD86102 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
FDD86102 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
FDD86102 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
FDD86102 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
FDD86102 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V |
auf Bestellung 22268 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
FDD86102 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 30635 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
FDD86102 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 9945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
![]() |
FDD86102 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 9945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
![]() |
FDD86102 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
![]() |
FDD86102 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
![]() |
FDD86102 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |