Produkte > ON SEMICONDUCTOR > FDD850N10L
FDD850N10L

FDD850N10L ON Semiconductor


fdd850n10l.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.7 EUR
5000+ 0.65 EUR
10000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDD850N10L ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote FDD850N10L nach Preis ab 0.72 EUR bis 1.83 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FDD850N10L FDD850N10L Hersteller : onsemi fdd850n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.76 EUR
5000+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDD850N10L FDD850N10L Hersteller : ON Semiconductor fdd850n10l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDD850N10L FDD850N10L Hersteller : ONSEMI fdd850n10l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
52+1.4 EUR
67+ 1.07 EUR
87+ 0.83 EUR
91+ 0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 52
FDD850N10L FDD850N10L Hersteller : ONSEMI fdd850n10l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; 50W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: DPAK
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
52+1.4 EUR
67+ 1.07 EUR
87+ 0.83 EUR
91+ 0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 52
FDD850N10L FDD850N10L Hersteller : onsemi / Fairchild FDD850N10L_D-2312289.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 3095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.54 EUR
10+ 1.31 EUR
100+ 1.09 EUR
500+ 0.98 EUR
1000+ 0.81 EUR
2500+ 0.74 EUR
5000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FDD850N10L FDD850N10L Hersteller : onsemi fdd850n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 25 V
auf Bestellung 8769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+1.83 EUR
12+ 1.5 EUR
100+ 1.16 EUR
500+ 0.99 EUR
1000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FDD850N10L FDD850N10L Hersteller : ON Semiconductor fdd850n10l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDD850N10L FDD850N10L Hersteller : ON Semiconductor fdd850n10l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar