FDD5612 ONSEMI
Hersteller: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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Technische Details FDD5612 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 18, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 42, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036, Betriebstemperatur, max.: 175, Schwellenspannung Vgs: 2.4, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FDD5612 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 1608 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD5612 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 5.4A TO252-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD5612 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 5.4A TO252-3 |
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