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FDD4243

FDD4243 ON Semiconductor

fdd4243-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 40V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details FDD4243 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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FDD4243 FDD4243 Hersteller : ON Semiconductor fdd4243-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD4243 FDD4243 Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003590118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 20 V
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FDD4243 FDD4243 Hersteller : ONSEMI FDD4243.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -14A; 42W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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79+ 0.91 EUR
126+ 0.57 EUR
133+ 0.54 EUR
500+ 0.53 EUR
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FDD4243 FDD4243 Hersteller : ONSEMI FDD4243.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -14A; 42W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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FDD4243 FDD4243 Hersteller : ON Semiconductor fdd4243-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD4243 FDD4243 Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003590118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 20 V
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FDD4243 FDD4243 Hersteller : onsemi / Fairchild FDD4243_D-2311910.pdf MOSFET 40V P-Channel PowerTrench MOSFET
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FDD4243 FDD4243 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003590118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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FDD4243 FDD4243 Hersteller : ONSEMI 2304318.pdf Description: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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FDD4243 FDD4243 Hersteller : ON Semiconductor 3662033767179030fdd4243.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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