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FDD3860

FDD3860 onsemi

fdd3860-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
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Technische Details FDD3860 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FDD3860 FDD3860 Hersteller : ONSEMI fdd3860-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.2A; Idm: 60A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
58+1.24 EUR
64+ 1.13 EUR
79+ 0.91 EUR
84+ 0.86 EUR
500+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 58
FDD3860 FDD3860 Hersteller : ONSEMI fdd3860-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.2A; Idm: 60A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1830 Stücke:
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79+ 0.91 EUR
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Mindestbestellmenge: 58
FDD3860 FDD3860 Hersteller : onsemi / Fairchild FDD3860_D-2312064.pdf MOSFET 100V N-Channel Power Trench
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1000+ 0.82 EUR
2500+ 0.77 EUR
5000+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FDD3860 FDD3860 Hersteller : onsemi fdd3860-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
auf Bestellung 8398 Stücke:
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10+1.88 EUR
12+ 1.54 EUR
100+ 1.2 EUR
500+ 1.02 EUR
1000+ 0.83 EUR
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FDD3860 FDD3860 Hersteller : ON Semiconductor fdd3860-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDD3860 Hersteller : Fairchild fdd3860-d.pdf N-Channel 100V 6.2A (Ta) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) FDD3860 ON Semiconductor TFDD3860
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FDD3860 Hersteller : ONSEMI FAIR-S-A0002365600-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD3860 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2380 Stücke:
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FDD3860 FDD3860 Hersteller : ON Semiconductor fdd3860-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD3860 FDD3860 Hersteller : ON Semiconductor fdd3860-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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