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FDD3672

FDD3672 ON Semiconductor

fdd3672-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details FDD3672 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 135mW, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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FDD3672 FDD3672 Hersteller : onsemi FAIR-S-A0002365570-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
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FDD3672 FDD3672 Hersteller : ON Semiconductor fdd3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD3672 FDD3672 Hersteller : ONSEMI FDD3672.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDD3672 FDD3672 Hersteller : ONSEMI FDD3672.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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FDD3672 FDD3672 Hersteller : ON Semiconductor fdd3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD3672 FDD3672 Hersteller : onsemi FAIR-S-A0002365570-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
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FDD3672 FDD3672 Hersteller : onsemi / Fairchild FDD3672_D-2312101.pdf MOSFET 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V
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10+ 2.22 EUR
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500+ 1.49 EUR
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FDD3672 FDD3672 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003586656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135mW
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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FDD3672 FDD3672 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003586656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135mW
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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FDD3672 FDD3672 Hersteller : ON Semiconductor 3663483825850963fdd3672.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD3672 FDD3672
Produktcode: 92624 		Hersteller : Fairchild fdd3672-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 44 A
Rds(on), Ohm: 28 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1710/24
JHGF: SMD
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FDD3672 FDD3672 Hersteller : ON Semiconductor fdd3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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