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FDC645N ON Semiconductor

Name: FDC645N
Brand: ON Semiconductor
SKU: 16126084-5
Price: 0.28 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R

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Technische Details FDC645N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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FDC645N

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R

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FDC645N

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R

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FDC645N

Hersteller : onsemi

ONSM-S-A0003586841-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V

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3000+	0.37 EUR
6000+	0.35 EUR
9000+	0.33 EUR
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FDC645N

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R

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414+	0.38 EUR
3000+	0.32 EUR
6000+	0.28 EUR
12000+	0.26 EUR
18000+	0.25 EUR

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FDC645N

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R

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305+	0.51 EUR
364+	0.41 EUR
366+	0.4 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.29 EUR

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FDC645N

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R

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282+	0.56 EUR
299+	0.51 EUR
305+	0.48 EUR
364+	0.38 EUR
366+	0.37 EUR
500+	0.32 EUR
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FDC645N

Hersteller : ONSEMI

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1668 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
111+	0.65 EUR
141+	0.51 EUR
181+	0.4 EUR
192+	0.37 EUR

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FDC645N

Hersteller : ONSEMI

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141+	0.51 EUR
181+	0.4 EUR
192+	0.37 EUR

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FDC645N

Hersteller : onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V

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19+	0.97 EUR
21+	0.85 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.42 EUR

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FDC645N

Hersteller : onsemi / Fairchild

MOSFET SSOT-6 N-CH

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3+	0.98 EUR
10+	0.86 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.42 EUR
3000+	0.37 EUR
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FDC645N

Hersteller : ONSEMI

ONSM-S-A0003586841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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FDC645N

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 27546 Stücke:

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FDC645N

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDC645N - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 154412 Stücke:

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FDC645N

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R

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