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Technische Details FDBL9401-F085T6 onsemi
Description: ONSEMI - FDBL9401-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.0006 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180.7W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDBL9401-F085T6 nach Preis ab 7.73 EUR bis 15.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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FDBL9401-F085T6 | Hersteller : onsemi |
 MOSFET Power MOSFET, Single N-Channel, 40 V, 0.67 mohm, 240 A |
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FDBL9401-F085T6 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 58.4/240A 8HPSOF |
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FDBL9401-F085T6 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL9401-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.0006 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 180.7W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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FDBL9401-F085T6 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL9401-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.0006 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 180.7W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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| FDBL9401-F085T6 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDBL9401-F085T6 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 58.4A T/R |
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