Produkte > ONSEMI > FDBL86066-F085
FDBL86066-F085

FDBL86066-F085 onsemi

fdbl86066-f085-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 50 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDBL86066-F085 onsemi

Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0033 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 185A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote FDBL86066-F085 nach Preis ab 2.01 EUR bis 5.76 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdbl86066-f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
55+2.86 EUR
500+ 2.63 EUR
1000+ 2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 55
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdbl86066-f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
43+3.64 EUR
47+ 3.23 EUR
48+ 3.03 EUR
100+ 2.65 EUR
250+ 2.45 EUR
500+ 2.24 EUR
1000+ 2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 43
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdbl86066-f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
35+4.57 EUR
40+ 3.84 EUR
42+ 3.53 EUR
100+ 2.94 EUR
250+ 2.67 EUR
500+ 2.38 EUR
1000+ 2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 35
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 Hersteller : onsemi FDBL86066_F085_D-2312243.pdf MOSFET PTNG 100V N-FET TOLL 240A 4.1 mOhm
auf Bestellung 3759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+5.74 EUR
10+ 4.8 EUR
25+ 4.56 EUR
100+ 3.89 EUR
250+ 3.68 EUR
500+ 3.47 EUR
1000+ 2.96 EUR
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 Hersteller : onsemi fdbl86066-f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 50 V
auf Bestellung 4456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+5.76 EUR
10+ 4.84 EUR
100+ 3.92 EUR
500+ 3.48 EUR
1000+ 2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 Hersteller : ONSEMI 2619984.pdf Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0033 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 Hersteller : ONSEMI 2619984.pdf Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0033 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDBL86066-F085
Produktcode: 203129 		fdbl86066-f085-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdbl86066-f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdbl86066-f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Produkt ist nicht verfügbar