FDB047N10 ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 800+ | 2.97 EUR |
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Technische Details FDB047N10 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FDB047N10 nach Preis ab 2.48 EUR bis 8.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FDB047N10 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB047N10 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB047N10 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB047N10 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDB047N10 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB047N10 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB047N10 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench |
auf Bestellung 8651 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDB047N10 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4211 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDB047N10 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDB047N10 | Hersteller : FSC |
TO263 10+ |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDB047N10 | Hersteller : ONSEMI |
FDB047N10 SMD N channel transistors |
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