![FDA69N25 FDA69N25](https://www.mouser.com/images/fairchildsemiconductor/lrg/TO_3PN_3_DSL.jpg)
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Technische Details FDA69N25 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 250V 69A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 34.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDA69N25 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 34.5A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V |
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FDA69N25 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDA69N25 Produktcode: 175386 |
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FDA69N25 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDA69N25 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDA69N25 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDA69N25 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44.2A; Idm: 276A; 480W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 44.2A Pulsed drain current: 276A Power dissipation: 480W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDA69N25 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44.2A; Idm: 276A; 480W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 44.2A Pulsed drain current: 276A Power dissipation: 480W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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