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Technische Details FDA24N40F onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDA24N40F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 23 A, 0.15 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 235W, Bauform - Transistor: TO-3PN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDA24N40F nach Preis ab 3.06 EUR bis 8.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDA24N40F | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 400V 23A TO3PNPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V |
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FDA24N40F | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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FDA24N40F | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDA24N40F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 23 A, 0.15 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 235W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDA24N40F Produktcode: 117173 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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FDA24N40F | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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FDA24N40F | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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FDA24N40F | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 13.8A Pulsed drain current: 92A Power dissipation: 235W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDA24N40F | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 13.8A; Idm: 92A; 235W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 13.8A Pulsed drain current: 92A Power dissipation: 235W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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