![FDA18N50 FDA18N50](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2740/MFG_2SK4221.jpg)
FDA18N50 Fairchild Semiconductor
![ONSM-S-A0003584110-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 239W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
auf Bestellung 1564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
169+ | 2.92 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDA18N50 Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 239W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FDA18N50 nach Preis ab 3.17 EUR bis 5.22 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDA18N50 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
FDA18N50 | Hersteller : FAIRCHILD |
![]() |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||
FDA18N50 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 56250 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||
![]() |
FDA18N50 Produktcode: 37766 |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
|
||||||||||||
![]() |
FDA18N50 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
![]() |
FDA18N50 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
![]() |
FDA18N50 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11.4A; Idm: 76A; 239W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11.4A Pulsed drain current: 76A Power dissipation: 239W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |