auf Bestellung 1570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 2.8 EUR |
| 10+ | 2.53 EUR |
| 75+ | 2.06 EUR |
| 525+ | 1.72 EUR |
| 1050+ | 1.39 EUR |
| 2550+ | 1.32 EUR |
| 5025+ | 1.28 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FCU600N65S3R0 onsemi
Description: ONSEMI - FCU600N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.493 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.493ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FCU600N65S3R0 nach Preis ab 1.88 EUR bis 2.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCU600N65S3R0 | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 650V 6A IPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V |
auf Bestellung 441 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
FCU600N65S3R0 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCU600N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.493 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.493ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1759 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
|
|
FCU600N65S3R0 | Hersteller : ON Semiconductor |
MOSFET SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm |
auf Bestellung 1615 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |