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FCPF380N65FL1

FCPF380N65FL1 onsemi / Fairchild

FCPF380N65FL1_D-1806434.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET II, FRFET , 650 V, 10.2 A, 380 mO, TO-220F
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Technische Details FCPF380N65FL1 onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FCPF380N65FL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.2 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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FCPF380N65FL1 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003584314-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCPF380N65FL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.2 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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FCPF380N65FL1 FCPF380N65FL1 Hersteller : ON Semiconductor fcpf380n65fl1jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
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FCPF380N65FL1 FCPF380N65FL1 Hersteller : ON Semiconductor fcpf380n65fl1jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
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FCPF380N65FL1 FCPF380N65FL1 Hersteller : onsemi fcpf380n65fl1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 100 V
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