FCPF260N60E onsemi / Fairchild
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Technische Details FCPF260N60E onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N CH 600V 15A TO-220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FCPF260N60E nach Preis ab 2.59 EUR bis 5.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FCPF260N60E | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
 Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, NPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V |
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FCPF260N60E | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N CH 600V 15A TO-220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V |
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FCPF260N60E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF260N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: 0 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: 0 Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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FCPF260N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FCPF260N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FCPF260N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
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FCPF260N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FCPF260N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FCPF260N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FCPF260N60E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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