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FCPF125N65S3

FCPF125N65S3 onsemi / Fairchild

FCPF125N65S3_D-2312017.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET3 650V 125 mOhm, TO220F PKG
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Technische Details FCPF125N65S3 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA, Supplier Device Package: TO-220F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 400 V.

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FCPF125N65S3 FCPF125N65S3 Hersteller : onsemi fcpf125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 400 V
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FCPF125N65S3 FCPF125N65S3 Hersteller : ON Semiconductor fcpf125n65s3-d.pdf N-Channel SuperFET III MOSFET
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