
FCP104N60F ON Semiconductor
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 6.21 EUR |
26+ | 5.80 EUR |
50+ | 4.53 EUR |
100+ | 4.13 EUR |
250+ | 3.84 EUR |
500+ | 3.62 EUR |
800+ | 3.27 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FCP104N60F ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCP104N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.091 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 37, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 357, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 357, Bauform - Transistor: TO-220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: SuperFET II FRFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote FCP104N60F nach Preis ab 3.27 EUR bis 8.57 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCP104N60F | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 813 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCP104N60F | Hersteller : onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 941 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCP104N60F | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 25 V |
auf Bestellung 14369 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCP104N60F | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
FCP104N60F | Hersteller : ONSEMI |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 37 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 357 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 357 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II FRFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
FCP104N60F | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Case: TO220-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
FCP104N60F | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 357W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Case: TO220-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |