FCH072N60F ON Semiconductor
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Technische Details FCH072N60F ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCH072N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 481W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FCH072N60F nach Preis ab 6.3 EUR bis 14.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FCH072N60F | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FCH072N60F | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 600V, 52A, 72mOhm N-Channel Mosfet |
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FCH072N60F | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8660 pF @ 100 V |
auf Bestellung 69747 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCH072N60F | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCH072N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 481W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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FCH072N60F | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FCH072N60F | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FCH072N60F | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| FCH072N60F | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 33A Pulsed drain current: 156A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FCH072N60F | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 33A Pulsed drain current: 156A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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