
FCH041N65F-F085 onsemi / Fairchild
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Technische Details FCH041N65F-F085 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V, Power Dissipation (Max): 595W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13566 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote FCH041N65F-F085 nach Preis ab 13.90 EUR bis 25.59 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FCH041N65F-F085 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 595W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13566 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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FCH041N65F-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FCH041N65F-F085 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCH041N65F-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FCH041N65F-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FCH041N65F-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FCH041N65F-F085 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 76A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 228A Gate charge: 277nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FCH041N65F-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FCH041N65F-F085 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 76A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 228A Gate charge: 277nC |
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