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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies


Infineon_F3L8MR12W2M1HP_B11_DataSheet_v01_10_EN-3107556.pdf Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules EASY STANDARD
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Technische Details F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Zweifach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 nach Preis ab 239.59 EUR bis 265.8 EUR

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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-F3L8MR12W2M1HP_B11-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180f00090ea4e8e Description: SIC 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 40mA
Supplier Device Package: AG-EASY2B
Part Status: Active
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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Hersteller : INFINEON 3739842.pdf Description: INFINEON - F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Zweifach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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