EMZ7T2R ROHM Semiconductor
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Technische Details EMZ7T2R ROHM Semiconductor
Description: ROHM - EMZ7T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 12 V, 12 V, 500 mA, 500 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 270hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 320MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 150mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA, Übergangsfrequenz, PNP: 260MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 270hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: EMT, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote EMZ7T2R nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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EMZ7T2R | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMTPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz, 260MHz Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
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EMZ7T2R | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - EMZ7T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 12 V, 12 V, 500 mA, 500 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 270hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 320MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 150mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA Übergangsfrequenz, PNP: 260MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 270hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: EMT Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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EMZ7T2R | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - EMZ7T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 12 V, 12 V, 500 mA, 500 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 270hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 320MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 150mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 500mA Übergangsfrequenz, PNP: 260MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 270hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: EMT Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| EMZ7 T2R | Hersteller : ROHM | EMT6 |
auf Bestellung 106500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| EMZ7 T2R | Hersteller : ROHM | SOT23-6 |
auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| EMZ7 T2R | Hersteller : ROHM | SOT663 |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| EMZ7T2R | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
EMZ7T2R Complementary transistors |
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EMZ7T2R | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz, 260MHz Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
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