EM6K34T2CR Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
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8000+ | 0.12 EUR |
16000+ | 0.11 EUR |
40000+ | 0.1 EUR |
56000+ | 0.097 EUR |
80000+ | 0.094 EUR |
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Technische Details EM6K34T2CR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - EM6K34T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote EM6K34T2CR nach Preis ab 0.099 EUR bis 0.65 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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EM6K34T2CR | Hersteller : ROHM Semiconductor | MOSFETs 0.9V Drive Nch MOSFET |
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EM6K34T2CR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 120mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA Supplier Device Package: EMT6 |
auf Bestellung 118118 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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EM6K34T2CR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - EM6K34T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 150mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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EM6K34T2CR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - EM6K34T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 150mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 26474 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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EM6K34T2CR | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR | EM6K34T2CR Multi channel transistors |
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