EFC4618R-P-TR onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH EFCP1818
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: EFCP1818-4CC-037
Description: MOSFET 2N-CH EFCP1818
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: EFCP1818-4CC-037
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Technische Details EFC4618R-P-TR onsemi
Description: ONSEMI - EFC4618R-P-TR - Dual-MOSFET, 12VGS, 6A, Zweifach n-Kanal, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: EFCP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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EFC4618R-P-TR | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - EFC4618R-P-TR - Dual-MOSFET, 12VGS, 6A, Zweifach n-KanaltariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0 Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: EFCP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0 productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 538171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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EFC4618R-P-TR | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH EFCP1818 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, FCBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Supplier Device Package: EFCP1818-4CC-037 |
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