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ECH8690-TL-H ON Semiconductor
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Technische Details ECH8690-TL-H ON Semiconductor
Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ECH, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote ECH8690-TL-H nach Preis ab 1.06 EUR bis 2.82 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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ECH8690-TL-H | Hersteller : ON Semiconductor |
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ECH8690-TL-H | Hersteller : onsemi |
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ECH8690-TL-H | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive Supplier Device Package: 8-ECH Part Status: Active |
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ECH8690-TL-H | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ECH Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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ECH8690-TL-H | Hersteller : ONSEMI |
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ECH8690-TL-H | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Mounting: SMD Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 4.7/-3.5A On-state resistance: 55/94mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: ECH8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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ECH8690-TL-H | Hersteller : ON Semiconductor |
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ECH8690-TL-H | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive Supplier Device Package: 8-ECH Part Status: Active |
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ECH8690-TL-H | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Mounting: SMD Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 4.7/-3.5A On-state resistance: 55/94mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: ECH8 |
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