DXT5551-13 Diodes Zetex
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Technische Details DXT5551-13 Diodes Zetex
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SOT-89-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 1 W.
Weitere Produktangebote DXT5551-13 nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DXT5551-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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DXT5551-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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DXT5551-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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DXT5551-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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DXT5551-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1 W |
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DXT5551-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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DXT5551-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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DXT5551-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 1W 160V |
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DXT5551-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1 W |
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DXT5551-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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