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DXT2014P5-13

DXT2014P5-13 Diodes Incorporated

ds32009.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 3.2 W
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Technische Details DXT2014P5-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerDI™ 5, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: PowerDI™ 5, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 3.2 W.

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DXT2014P5-13 DXT2014P5-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds32009.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -140V,-4A
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DXT2014P5-13 DXT2014P5-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds32009.pdf Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 3.2 W
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DXT2014P5-13 DXT2014P5-13 Hersteller : Diodes Inc ds32009.pdf Trans GP BJT PNP 140V 4A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
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