DTC144WU3T106 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: NPN, SOT-323, R1R2 LEAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
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Technische Details DTC144WU3T106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTC144WU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote DTC144WU3T106 nach Preis ab 0.076 EUR bis 0.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DTC144WU3T106 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN, SOT-323, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) : DTC144WU3 is an digital transistor (Resistor built-in type transistor), suitable for inverter and interface, driver. |
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DTC144WU3T106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: NPN, SOT-323, R1R2 LEAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DTC144WU3T106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC144WU3T106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTC144WU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |