DTC143TET1G ON Semiconductor
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Technische Details DTC143TET1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - DTC143TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-75, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: Fuse Kits, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DTC143TET1G nach Preis ab 0.033 EUR bis 0.32 EUR
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DTC143TET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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DTC143TET1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms |
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DTC143TET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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DTC143TET1G | Hersteller : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN |
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DTC143TET1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms |
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DTC143TET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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DTC143TET1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC143TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DTC143TET1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC143TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DTC143TET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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| DTC143TET1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC143TET1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DTC143TET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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DTC143TET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DTC143TET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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DTC143TET1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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