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DTC123JU3HZGT106

DTC123JU3HZGT106 Rohm Semiconductor

dtc123ju3hzgt106-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
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Technische Details DTC123JU3HZGT106 Rohm Semiconductor

Description: DTC123JU3HZG IS A DIGITAL TRANSI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: UMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

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DTC123JU3HZGT106 DTC123JU3HZGT106 Hersteller : Rohm Semiconductor dtc123ju3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
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DTC123JU3HZGT106 DTC123JU3HZGT106 Hersteller : Rohm Semiconductor Description: DTC123JU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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DTC123JU3HZGT106 DTC123JU3HZGT106 Hersteller : Rohm Semiconductor dtc123ju3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
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DTC123JU3HZGT106 DTC123JU3HZGT106 Hersteller : ROHM Semiconductor Digital Transistors NPN 50V 0.1A 2.2kO SOT-323
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DTC123JU3HZGT106 DTC123JU3HZGT106 Hersteller : Rohm Semiconductor Description: DTC123JU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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DTC123JU3HZGT106 DTC123JU3HZGT106 Hersteller : Rohm Semiconductor dtc123ju3hzgt106-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
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