Produkte > ONSEMI > DTC123JM3T5G
DTC123JM3T5G

DTC123JM3T5G onsemi

dtc123j-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DTC123JM3T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-723, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 260 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Weitere Produktangebote DTC123JM3T5G nach Preis ab 0.069 EUR bis 0.58 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
DTC123JM3T5G DTC123JM3T5G Hersteller : onsemi DTC123J_D-2310909.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 30850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.57 EUR
10+ 0.39 EUR
100+ 0.16 EUR
1000+ 0.097 EUR
2500+ 0.095 EUR
8000+ 0.074 EUR
24000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 5
DTC123JM3T5G DTC123JM3T5G Hersteller : onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 17825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
31+0.58 EUR
45+ 0.4 EUR
100+ 0.19 EUR
500+ 0.16 EUR
1000+ 0.11 EUR
2000+ 0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 31
DTC123JM3T5G Hersteller : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf
auf Bestellung 14250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DTC123JM3T5G Hersteller : ONSEMI RE_DSHEET_DTC123JM3T5G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb Description: ONSEMI - DTC123JM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 237031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DTC123JM3T5G DTC123JM3T5G Hersteller : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DTC123JM3T5G DTC123JM3T5G Hersteller : ON Semiconductor 644422848155887dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar