DTC123EMT2L Rohm Semiconductor
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Technische Details DTC123EMT2L Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V, Supplier Device Package: VMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms.
Weitere Produktangebote DTC123EMT2L nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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DTC123EMT2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC123EMT2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R |
auf Bestellung 6788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC123EMT2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC123EMT2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC123EMT2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms |
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DTC123EMT2L | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors DGTL NPN 50V 100MA |
auf Bestellung 7006 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DTC123EMT2L | Hersteller : ROHM |
05+ SOT523 |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| DTC123EMT2L | Hersteller : ROHM |
SOT523-22 PB-FRE |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DTC123EMT2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms |
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