DTA143ZU3HZGT106 ROHM Semiconductor
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Technische Details DTA143ZU3HZGT106 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - DTA143ZU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Dauer-Kollektorstrom Ic: -100, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7, Dauer-Kollektorstrom: 100, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200, Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP, Bauform - Transistor: SOT-323, Bauform - HF-Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTA143Z Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1, Betriebstemperatur, max.: 150, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DTA143ZU3HZGT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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DTA143ZU3HZGT106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTA143ZU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 euEccn: NLR Verlustleistung: 200 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - Transistor: SOT-323 Bauform - HF-Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA143Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1 Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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DTA143ZU3HZGT106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - DTA143ZU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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| DTA143ZU3HZGT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R |
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DTA143ZU3HZGT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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