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DTA123JUAT106

DTA123JUAT106 Rohm Semiconductor

dta123juat106-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R
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Technische Details DTA123JUAT106 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: UMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DTA123JUAT106 DTA123JUAT106 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA123JUA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PNP 50V 100MA
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DTA123JUAT106 DTA123JUAT106 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA123JUA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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DTA123JUA T106 Hersteller : ROHM SOT-323 00+
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DTA123JUAT106 DTA123JUAT106 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA123JUA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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