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Technische Details DSS2540M-7B Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 50, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: DSS Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote DSS2540M-7B nach Preis ab 0.083 EUR bis 0.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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DSS2540M-7B | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 40V 0.5A 3DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW |
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DSS2540M-7B | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 250mW 3-Pin DFN T/R |
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DSS2540M-7B | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 250mW 3-Pin DFN T/R |
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DSS2540M-7B | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K |
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DSS2540M-7B | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 0.5A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW |
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DSS2540M-7B | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 50 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1 Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: DSS Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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DSS2540M-7B | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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DSS2540M-7B | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 250mW 3-Pin DFN T/R |
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DSS2540M-7B | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 250mW 3-Pin DFN T/R |
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