DS1230AB-70IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 63.92 EUR |
| 12+ | 56.19 EUR |
| 36+ | 53.07 EUR |
| 60+ | 51.67 EUR |
| 108+ | 50.11 EUR |
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Technische Details DS1230AB-70IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-70IND+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 70 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 70ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Speichergröße: 256Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DS1230AB-70IND+
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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DS1230AB-70IND+ | Hersteller : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-70IND+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 70 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 70ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DS1230AB-70IND+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DS1230AB-70IND+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DS1230AB-70IND | Hersteller : DALLAS |
DIP-28 08+09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| DS1230AB-70IND | Hersteller : DS |
0130+; |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| DS1230AB-70IND+ | Hersteller : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1230AB-70IND+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DS1230AB-70IND+ | Hersteller : Maxim |
MOD/E/256K NONVOLATILE SRAM DS1230 Anzahl je Verpackung: 12 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1230AB-70IND | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1230AB-70IND+ | Hersteller : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
Produkt ist nicht verfügbar |